(C)專利

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1. 廖建能、吳歷杰、李建興，專利名稱：半導體塊材之製造方法，中華民國專利 發明第 I423490號，公告日:2014/01/11，專利權期間2014年1月11日至2029年9月27日。

2. 闕郁倫、詹宗晟、廖建能，專利名稱：高密度雙晶金屬薄膜的製作方法，中華民國專利 發明第I419985號，公告日:2013/12/21，專利權期間2013年12月21日至2031年10月10日。

3. 闕郁倫、詹宗晟、廖建能、林彥妙，專利名稱：具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法，中華民國專利 發明第I454422號，公告日:2014/10/1，專利權期間2014年10月1日至2032年4月11日。

4. 廖建能、詹宗晟，專利名稱：降低金屬薄膜表面粗糙度的方法，中華民國專利 發明第 I469219號，公告日:2015/01/11，專利權期間2015年1月11日至2029年2月15日。

5. 朱旭山、廖建能、陳耀祥，專利名稱：用於退火裝置的樣品座與使用此樣品座的電流輔助退火裝置，中華民國專利 發明第 I509698號，公告日:2015/11/21，專利權期間2015年11月21日至2033年12月24日。

6. 林明志、蔡杰燊、廖建能、吳鎭吉，專利名稱：一種熱電轉換元件，中華民國專利 發明第 I575786號，公告日:2017/3/21，專利權期間2017年3月21日至2034年4月7日。

7. Yu-Lun Chueh, Tsung-Cheng Chan, Chien-Neng Liao, Title: Method for forming metal film with twins, US Patent 8,420,185. April 16, 2013.