(C)專利​

1. 廖建能、吳歷杰、李建興，專利名稱：半導體塊材之製造方法，中華民國專利 發明第 I423490號，公告日:2014/01/11，專利權期間2014年1月11日至2029年9月27日。

2. 闕郁倫、詹宗晟、廖建能，專利名稱：高密度雙晶金屬薄膜的製作方法，中華民國專利 發明第I419985號，公告日:2013/12/21，專利權期間2013年12月21日至2031年10月10日。

3. 闕郁倫、詹宗晟、廖建能、林彥妙，專利名稱：具高密度雙晶的奈米銅導線製造方法，中華民國專利 發明第I454422號，公告日:2014/10/1，專利權期間2014年10月1日至2032年4月11日。

4. 廖建能、詹宗晟，專利名稱：降低金屬薄膜表面粗糙度的方法，中華民國專利 發明第 I469219號，公告日:2015/01/11，專利權期間2015年1月11日至2029年2月15日。

5. 朱旭山、廖建能、陳耀祥，專利名稱：用於退火裝置的樣品座與使用此樣品座的電流輔助退火裝置，中華民國專利 發明第 I509698號，公告日:2015/11/21，專利權期間2015年11月21日至2033年12月24日。

6. 林明志、蔡杰燊、廖建能、吳鎭吉，專利名稱：一種熱電轉換元件，中華民國專利 發明第 I575786號，公告日:2017/3/21，專利權期間2017年3月21日至2034年4月7日。

7. Yu-Lun Chueh, Tsung-Cheng Chan, Chien-Neng Liao, Title: Method for forming metal film with twins, US Patent 8,420,185. April 16, 2013.

8. 廖建能、盧孟珮、戴明吉、陳力祺、黃泓憲，專利名稱：熱電模組，中華民國專利 發明第 I586006號，公告日:2017/06/01，專利權期間2017年6月1日至2035年12月9日。

9. 黃菁儀、廖建能，專利名稱：熱電模組，中華民國專利 發明第 I641167號，公告日:2018/11/11，專利權期間2018年11月11日至2036年12月20日。

10. Jian-Hong Lin, Chwei-Ching Chiu, Yung-Huei Lee, Chien-Neng Liao, Yu-Lun Chueh, CHAN Tsung-Cheng, Chun-lung Huang, Title: Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same, US Patent 9,761,523 September12, 2017.

11. 廖建能、盧孟珮、戴明吉、陳力祺、黃泓憲，專利名稱：熱電模塊，中華人民共和國專利，發明第 ZL 2015 1 0909644.7號，公告日: 2019/4/23，專利權期間2019年4月23日至2039年4月22日。